JIS C 6704:2017 pdfダウンロード

JIS C 6704:2017 pdfダウンロード。人工水晶 Synthetic quartz crystal
1 適用範囲
この規格は，周波数制御及び選択用の水晶振動子製造並びに光学製品に用いる，単結晶の人工水晶（以下，人工水晶という。）について規定する。 注記 この規格の対応国際規格及びその対応の程度を表す記号を，次に示す。 IEC 60758:2016，Synthetic quartz crystal−Specifications and guidelines for use（MOD） なお，対応の程度を表す記号“MOD”は，ISO/IEC Guide 21-1に基づき，“修正している”ことを示す。
2 引用規格
次に掲げる規格は，この規格に引用されることによって，この規格の規定の一部を構成する。これらの引用規格は，その最新版（追補を含む。）を適用する。
JIS C 6701 水晶振動子通則
注記 対応国際規格：IEC 60122-1:2002，Quartz crystal units of assessed quality−Part 1: Generic specification（IDT） JIS Z 9015-1 計数値検査に対する抜取検査手順−第1部：ロットごとの検査に対するAQL指標型抜取検査方式
注記 この規格の対応国際規格で引用するIEC 60410，Sampling plans and procedures for inspection by attributesは，対応JISが制定されていない。この規格での引用事項は，JIS Z 9015-1の規定事項と同等である。 3 用語及び定義 この規格で用いる主な用語及び定義は，次による。
3.1 水熱合成法（hydrothermal crystal growth） 高温及び高圧の条件下で水を介在させ，地殻中の成長と同じプロセスで結晶を育成する方法。
人工水晶では，円筒形のオートクレーブでアルカリ水溶液を溶媒として用い，上部に種結晶を，下部に石英原料を置いて容器を高温（330〜400 ℃）及び高圧（68.6〜196 MPa）に保ち，下部を上部よりも高温にし，温度差を付けて結晶を育成する。
注記 （対応国際規格の注記を，定義文にした。）
3.2 人工水晶（synthetic quartz crystal） 水熱合成法によって育成した，アルファ水晶の単結晶。人工水晶は，右水晶又は左水晶のいずれかであって，アズグロウン人工水晶及びランバード人工水晶がある。 注記 アルファ水晶とは，573 ℃以下でできた低温型水晶である。
3.3 アズグロウン人工水晶（as-grown synthetic quartz crystal） 育成後の未加工人工水晶。 3.4 アズグロウンY棒水晶（as-grown Y-bar） Y方向に長い棒状の種結晶を用いて育成した，アズグロウン人工水晶。 3.5 アズグロウンZ板水晶（as-grown Z-bar） Y方向に長いZ面を主面とする板状の種結晶を用いて育成した，アズグロウン人工水晶。
3.6 人工水晶のロット（synthetic quartz crystal batch） 同一オートクレーブ内で同一期間に育成した，人工水晶の集まり。以下，ロットという。
3.7 種結晶（seed） 人工水晶の育成に結晶核として用いる，棒状又は板状の水晶結晶。 3.8 成長領域（growth zones） それぞれの結晶方位に沿って成長して生じた，人工水晶の領域［図2のa) 及びb) 参照］。
3.9 人工水晶の方位（orientation of a synthetic quartz crystal） 直交軸に関する種結晶の方位。
3.10 直交座標系（orthogonal axial system of α quartz crystal） 図1に示すように，それぞれ直交に交わったX軸，Y軸及びZ軸。 注記1 X軸を中心にして，Y軸及びZ軸をそれぞれθ°傾けた場合は，X軸，Y´軸及びZ´軸になる。ただし，Zカット種結晶の場合は，Y軸に対して20°以内の方向にずれて位置するとき，X軸，Y´軸及びZ´軸になる。 注記2 X軸は，その軸に沿って圧縮したとき，正の電荷が発生する方向は＋X，負の電荷が発生する方向は−Xとなる。 注記3 右水晶には右手直交座標系を，左水晶には左手直交座標系を用いている。 注記4 IEEE規格では，この規格と軸の取り方が異なる。附属書F参照。